De façon générale, le gain G dans le segment concerné est donné par la mise en parallèle de R1, R2, ... Rn divisée par -R

Les tensions V1 et V2 sont définies par les tensions de Zéner et les tensions de seuil

La caractéristique de transfert peut être rendue asymétrique en choisissant des tensions de Zéner différentes dans chaque branche

Le fait que les coudes de conduction des diodes n'est pas idéal adoucit les angles de la caractéristique de transfert

Limites :

Les points ci-dessous peuvent être critiques avec ce type de montage :

• Courant d'entrée (200 pA pour une entrée JFET, 50 nA pour une entrée bipolaire), ce point limite la valeur de R aux alentours de 1 MOhms (entrée bipolaire) et 100 MOhms pour les entrées JFET ou MOS.

• Fréquence maximale dépend du gain. Le produit gain-largeur de bande est de l'ordre de 1 MHz
• Tension d'offset (2 à 10 mV)