Les points ci-dessous peuvent être critiques avec ce type de montage :
Ce type de montage est très dépendant de la température (Is varie de façon exponentielle en température). Certains montages peuvent être imaginés pour compenser ce phénomène (cf. littérature proposée par les fabricants par exemple), mais l'application pratique reste souvent problématique. Pour cette raison, une approximation par ligne brisée ou une approche numérique sont préférables.
Courant d'entrée (200 pA pour une entrée JFET, 50 nA pour une entrée bipolaire), ce point limite la valeur de R aux alentours de 1 MOhms (entrée bipolaire) et 100 MOhms pour les entrées JFET ou MOS.
Fréquence maximale dépend du gain (faire intervenir la résistance différentielle de la diode). Le produit gain-largeur de bande est de l'ordre de 1 MHz